آقای دکتر افشین رشید متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ در تهران ، اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران میباشد ؛ دارای ۲۱ مقاله کنفرانسی در داخل کشور و بیش از 356 مقاله ISI در مجلات و ژورنال های بین المللی خارج از کشور هستند. مقالات منتشر شده ایشان بیشتر در موضوعات تخصصی نانو الکترونیک ، نانو ترانزیستور ها ، نانو تراشه های الکتریکی ، نانو سیم های الکترونیکی و اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک تهیه شده است.همچنین ایشان دو بار در سال های 2023 و 2025 عنوان “دانشمند دو درصد برتر جهان” از نگاه موسسه انتشارات الزویر (Elsevier) را کسب کرده اند.ایشان یکی از شخصیت های ممتاز و ارزشمند علمی ” ایران و جهان ” میباشند و بیشترین آمار ارجاع مقالات علمی را میان دانشمندان ایرانی در حوزه ” اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک ” را در سطح بین المللی به خود اختصاص داده است.
About Me :
Dr. Afshin Rashid, born on April 5, 1989 in Tehran, is an assistant professor (Electrical Department – Micro and Nanoelectronic Devices) and a member of the faculty of Islamic Azad University, Tehran Science and Research Branch; he has 21 conference papers in the country and more than 356 ISI articles in international magazines and journals abroad. His published articles are mostly on the specialized topics ofnanoelectronics, nanotransistors, electric nanochips, electronic nanowires, andmicro and nanoelectronicdevices. He has also twice won the title of “Top 2% Scientist in the World” from the Elsevier Publishing House in 2023 and 2025. He is one of the distinguished and valuable scientific figures of “Iran and the World” and has the highest number of citations of scientific articles among Iranian scientists in the field of “micro and nanoelectronic devices” at the international level. There are many books, articles, and conferences focusing onnanoelectronic technology from him, and an amazing invention in the field of nanotechnology, which is also a unique scientific invention including (the most significant theory of internal system change and redesign of electronic nanosensors CDSE).
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران 1394-1398
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران 1391-1393
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران 1386-1390
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)